超純水的水質評價涉及電阻率、總有機碳、二氧化硅、硼、顆粒物、溶解氧、微生物等多項指標，不同行業、不同工序對各項指標的要求差異顯著。理解主流水質標準的內涵與指標限值，是合理設計超純水系統、保障生產工藝穩定的前提。

　　電阻率是超純水純度的核心指標，反映水中導電離子的總含量。理論上，25攝氏度時絕對純水的電阻率為18.2兆歐厘米，這也是超純水設備追求的峰值。美國ASTM D5127標準將電子及半導體業用純水分為多個等級，其中Type E-1.2為較高等級，要求電阻率達到18.2兆歐厘米，同時對TOC、二氧化硅、硼、顆粒物等均有嚴格限值。

　　總有機碳是衡量水中有機物總量的指標，單位通常為ppb。半導體芯片清洗對TOC要求嚴格，通常控制在5ppb以下，部分高端制程要求更低。TOC過高會在晶圓表面殘留有機污染物，影響光刻與蝕刻工藝的均勻性。光伏行業TOC要求相對寬松，通常控制在10ppb以下。制藥純化水藥典標準要求TOC不超過500ppb，實際生產中通常控制在更低水平。

　　硼與二氧化硅是超純水中較難去除的弱電解質指標。硼在水中以硼酸形式存在，常規反滲透與EDI對硼的去除效率有限，而硼會影響硅晶圓的摻雜濃度與電學性能。ASTM E-1.2標準要求硼含量不超過3ppt，部分高端制程要求更低。二氧化硅同樣難以徹底去除，標準要求不超過0.5ppb。

　　顆粒物指標關注水中懸浮微粒的數量與粒徑分布。半導體清洗要求大于等于0.1微米的顆粒物控制在每毫升1個以下，終端超濾膜可截留0.05微米以上的顆粒物，有效保障顆粒指標。溶解氧與二氧化碳屬于氣體指標，溶解氧會導致不銹鋼管道腐蝕產生紅銹，二氧化碳溶于水降低pH與電阻率，真空脫氣膜可將兩者控制在較低水平。