半導(dǎo)體清洗工藝是晶圓加工、芯片制造全流程的核心基礎(chǔ)性工序，更是直接決定半導(dǎo)體器件生產(chǎn)成品率、電氣性能與長(zhǎng)期運(yùn)行可靠性的關(guān)鍵核心因素。半導(dǎo)體生產(chǎn)全鏈條對(duì)潔凈度管控嚴(yán)苛，單晶硅晶片制備、光刻、刻蝕、薄膜沉積、化學(xué)機(jī)械拋光等所有核心工藝前后，均必須開(kāi)展高頻次、標(biāo)準(zhǔn)化清洗作業(yè)，從硅片基底制造、晶圓精細(xì)加工到芯片后期封裝，清洗環(huán)節(jié)貫穿生產(chǎn)全程缺一不可。

　　在硅片基底制造階段，拋光后硅片需精準(zhǔn)清洗維穩(wěn)表面平整度與基礎(chǔ)性能，筑牢后續(xù)加工生產(chǎn)根基;晶圓制程核心工序中，光刻、蝕刻、離子注入、脫膠、成膜及機(jī)械拋光等環(huán)節(jié)前后，均需專(zhuān)項(xiàng)清洗去除化學(xué)殘留與表面污染物，嚴(yán)控生產(chǎn)缺陷;芯片封裝環(huán)節(jié)，TSV硅穿孔、UBM/RDL凸點(diǎn)底部金屬及膜重分布、鍵合等關(guān)鍵工藝，也需定制化清洗適配封裝生產(chǎn)需求。半導(dǎo)體無(wú)塵車(chē)間生產(chǎn)環(huán)境下，顆粒物、有機(jī)物、金屬雜質(zhì)及天然氧化層等各類(lèi)污染物，均會(huì)造成器件電氣故障、工藝失效，直接引發(fā)芯片報(bào)廢，唯有持續(xù)高標(biāo)準(zhǔn)清洗才能規(guī)避此類(lèi)生產(chǎn)風(fēng)險(xiǎn)。

　　超純水作為半導(dǎo)體清洗工藝的核心專(zhuān)用介質(zhì)，其水質(zhì)品質(zhì)直接決定清洗效果與芯片良率。隨著半導(dǎo)體制程工藝不斷升級(jí)，行業(yè)對(duì)超純水的電導(dǎo)率、離子含量、TOC總有機(jī)碳、溶解氧及顆粒物等核心指標(biāo)要求持續(xù)收緊。目前國(guó)內(nèi)半導(dǎo)體行業(yè)生產(chǎn)主要遵循GB/T 11446.1-2013《電子級(jí)水》國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)與ASTM-D5127-13《電子和半導(dǎo)體行業(yè)用超純水指南》美國(guó)行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)，嚴(yán)苛的水質(zhì)門(mén)檻也對(duì)超純水制備設(shè)備綜合性能提出高要求。

　　萊特萊德深耕半導(dǎo)體水處理領(lǐng)域，打造的專(zhuān)用超純水設(shè)備精準(zhǔn)適配半導(dǎo)體制造全場(chǎng)景用水需求，具備多重核心性能優(yōu)勢(shì)。設(shè)備可長(zhǎng)期連續(xù)穩(wěn)定制備高品質(zhì)超純水，無(wú)需因樹(shù)脂再生停機(jī)作業(yè)，保障半導(dǎo)體產(chǎn)線不間斷連續(xù)生產(chǎn)運(yùn)營(yíng);整體結(jié)構(gòu)緊湊化設(shè)計(jì)，占地面積小，適配無(wú)塵車(chē)間有限布局規(guī)劃，適配各類(lèi)半導(dǎo)體生產(chǎn)廠區(qū)安裝布設(shè)需求。設(shè)備內(nèi)置反滲透預(yù)脫鹽核心技術(shù)，從源頭深度凈化原水，全方位保障出水水質(zhì)穩(wěn)定達(dá)標(biāo)，契合半導(dǎo)體高端制程嚴(yán)苛用水規(guī)范。同時(shí)，設(shè)備制取超純水過(guò)程中廢水產(chǎn)出量少，綠色低碳運(yùn)行，兼顧企業(yè)生產(chǎn)效益與生態(tài)環(huán)保要求。高品質(zhì)超純水配套專(zhuān)業(yè)設(shè)備加持，既可為半導(dǎo)體器件筑牢生產(chǎn)潔凈根基，優(yōu)化產(chǎn)品綜合性能，也助力半導(dǎo)體生產(chǎn)企業(yè)夯實(shí)行業(yè)競(jìng)爭(zhēng)核心優(yōu)勢(shì)。